湖南浩威特科技发展有限公司
企业简介
                             湖南浩威特科技发展有限公司自2007年成立以来,投入一千多万元,致力于专业研发、生产和销售新一代铝碳化硅(AlSiC)和铝硅(AlSi)电子封装材料,是大功率IGBT封装模块基板、微波电子封装底板及管壳等产品专业生产加工的公司,拥有完整、科学的质量管理体系。湖南浩威特科技发展有限公司的诚信、实力和产品质量获得业界的认可。欢迎各界朋友莅临参观、指导和业务洽谈。
湖南浩威特科技发展有限公司的工商信息
  • 430193000003203
  • 914301006685760340
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(自然人投资或控股)
  • 2007年11月27日
  • 陈柯
  • 548.550000
  • 2007年11月27日 至 2026年11月26日
  • 长沙市望城区食品药品工商质量监督管理局
  • 2017年08月30日
  • 长沙市望城经济技术开发区同心路1号
  • 电子封装材料的研究、开发、生产、销售。(需许可证、资质证的项目取得相应的许可证、资质证后方可经营)
湖南浩威特科技发展有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 湖南浩威特科技发展有限公司 http://www.harvestalsic.com/
湖南浩威特科技发展有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 10231311 图形 2011-11-24 金属片和金属板;金属陶瓷 查看详情
湖南浩威特科技发展有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN205464280U 用于压铸曲面散热基板的组件及曲面散热基板 2016.08.17 本实用新型公开了一种用于压铸曲面散热基板的组件及曲面散热基板,该组件包括模具、铝板、碳化硅预制件和铝
2 CN105924178A 铝碳化硅复合材料的制备方法 2016.09.07 本发明公开了一种铝碳化硅复合材料的制备方法,包括以下步骤:将粗碳化硅颗粒和细碳化硅颗粒混匀,加入两种
3 CN105884367A 碳化硅预制件废料的回收方法 2016.08.24 本发明公开了一种碳化硅预制件废料的回收方法,包括以下步骤:将碳化硅预制件废料粉碎后,造粒,筛选出粒径
4 CN104658920B 铝碳化硅制备方法、所得铝碳化硅及电子元器件封装底板 2017.04.26 本发明提供了一种铝碳化硅制备方法及其所得铝碳化硅,铝碳化硅的制备方法,包括填粉和渗铝,填粉步骤包括:
5 CN104561989B 铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板 2017.02.22 本发明提供了一种铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板。该冷喷镀铜方法,包括以下步骤:采用冷喷工艺在
6 CN205752140U 一种渗铝碳化硅基板 2016.11.30 本实用新型公开了一种渗铝碳化硅基板,一种渗铝碳化硅基板,包括碳化硅预制件,碳化硅预制件的上端面为平面
7 CN105906369A 碳化硅预制件的烧结方法及铝碳化硅板的制备方法 2016.08.31 本发明公开了一种碳化硅预制件的烧结方法及铝碳化硅板的制备方法,该烧结方法包括以下步骤:将预制件素坯放
8 CN205464281U 用于压铸曲面基板的组件及曲面基板 2016.08.17 本实用新型公开了一种用于压铸曲面基板的组件及曲面基板,该组件包括模具、碳化硅预制件和至少一块铝箔,模
9 CN205414361U 铝碳化硅底板及近净成型压铸模具、碳化硅预制件 2016.08.03 本实用新型公开了一种铝碳化硅底板及近净成型压铸模具、碳化硅预制件,近净成型压铸模具的表面开设有用于容
10 CN205414362U 铝碳化硅底板及用于压铸铝碳化硅底板的模具 2016.08.03 本实用新型公开了一种用于压铸铝碳化硅底板的模具,模具的顶面开设有从上至下依次连通的用于容纳碳化硅预制
11 CN205393491U 铝碳化硅底板及用于压铸铝碳化硅底板的组件 2016.07.27 本实用新型公开了一种铝碳化硅底板及用于压铸铝碳化硅底板的组件,组件包括模具和碳化硅预制件,模具的表面
12 CN104658920A 铝碳化硅制备方法、所得铝碳化硅及电子元器件封装底板 2015.05.27 本发明提供了一种铝碳化硅制备方法及其所得铝碳化硅,铝碳化硅的制备方法,包括填粉和渗铝,填粉步骤包括:
13 CN204303795U 铝碳化硅底板及具有该底板的电子器件 2015.04.29 本实用新型提供了一种铝碳化硅底板及具有该底板的电子器件,铝碳化硅底板,包括铝碳化硅板和铝柱,铝碳化硅
14 CN104561989A 铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板 2015.04.29 本发明提供了一种铝碳化硅冷喷镀铜方法及所得电子封装底板。该冷喷镀铜方法,包括以下步骤:采用冷喷工艺在
15 CN204303816U 曲面铝碳化硅基板及具有该基板的IGBT模块 2015.04.29 本实用新型提供了一种曲面铝碳化硅基板及具有该基板的IGBT模块,该曲面铝碳化硅基板,基板为铝碳化硅基
16 CN102515781B 一种基于水基粘结剂的碳化硅预制件制备方法 2014.03.05 本发明公开一种基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法。本方法以磷酸二氢铝、石蜡乳液和去离子水组成水基粘
17 CN102517569A 一种铝碳化硅复合材料可焊性化学镀镍的方法 2012.06.27 本发明属于金属基复合材料焊接技术领域,提供了一种铝碳化硅复合材料可焊性化学镀镍的方法,首先对SiC/
18 CN102515781A 一种基于水基粘结剂的碳化硅预制件制备方法 2012.06.27 本发明公开一种基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法。本方法以磷酸二氢铝、石蜡乳液和去离子水组成水基粘
19 CN102093056A 网络互穿结构铝碳化硅复合材料及其构件的制备方法 2011.06.15 一种电子封装用网络互穿结构铝碳化硅复合材料及其构件的制备方法,原料的组份及体积百分比含量为:增强相碳
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